基辛格批评HBM是糟糕内存

2026年10月14日，IT之家援引a16z专访报道，前英特尔CEO帕特·基辛格再次批评HBM（高带宽内存），称其为“糟糕的内存”。他认为HBM位密度低、带宽受限，且功耗与散热问题突出，对AI这类内存计算密集型负载是“灾难性”方案。报道同时介绍，HBM3/3E总线宽度为1024位，HBM4提升至2048位；分析显示，当HBM功耗超过约30瓦时，PHY接口发热会成为内存热应力的主要来源。

AI 根据报道生成 · 3 小时前更新

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