前英特尔 CEO 基辛格称 HBM 是“糟糕的内存”

前英特尔 CEO 帕特·基辛格在接受 a16z 专访时再次批评 HBM，称其位密度低、带宽受限且功耗与散热问题突出，对 AI 这类内存计算密集型负载是“灾难性”方案。HBM3/3E 总线宽度为 1,024 位，HBM4 提升至 2,048 位；分析显示 HBM 功耗超过约 30 瓦时，PHY 接口发热会成为内存热应力主要来源。