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三星开发zNAND-T与zNAND-I闪存
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AI 综述
2026年10月12日，IT之家援引消息称，三星电子正在开发zNAND-T与zNAND-I两款面向AI负载的NAND闪存，连同此前已公布的zNAND-O，形成三种定制化产品。其中，zNAND-T采用TSV堆叠NAND Die，优化数据中心AI半导体的读写带宽，侧重吞吐量；zNAND-I侧重IOPS随机性能，适用于KV Cache卸载等频繁小数据读写场景。
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最新进展10月12日 13:54
消息称三星正开发zNAND-T与zNAND-I，分别优化吞吐量与随机性能。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月12日
- IT之家消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
三星电子据报正在开发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款面向 AI 负载的 NAND 闪存，连同已公布的 zNAND-O 形成三种定制化产品。zNAND-T 采用 TSV 堆叠 NAND Die，优化数据中心 AI 半导体的读写带宽；zNAND-I 侧重 IOPS 随机性能，适用于 KV Cache 卸载等频繁小数据读写场景。
本事件热度走势
当前热度 5·可比范围峰值 10（10月12日 15:00）·近 24 小时可比范围变化 -51%
趋势仅比较持续完整观测到的相同主体，范围可能小于当前热度统计。移动指针或点击图表查看每小时热度；键盘可用左右方向键切换。