消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

三星电子据报正在开发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款面向 AI 负载的 NAND 闪存，连同已公布的 zNAND-O 形成三种定制化产品。zNAND-T 采用 TSV 堆叠 NAND Die，优化数据中心 AI 半导体的读写带宽；zNAND-I 侧重 IOPS 随机性能，适用于 KV Cache 卸载等频繁小数据读写场景。