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SK海力士发布AI下一代内存路线图
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AI 综述
2026年10月16日，SK海力士在SEDEX 2026上公布面向AI基础设施的下一代内存路线图，旨在缓解AI算力瓶颈。根据Hacker News热帖报道，公司计划继续推进从HBM1到HBM4E的高带宽内存演进，并开发三类新产品：3D Stacked DRAM（三维堆叠DRAM）、High Bandwidth Flash（高带宽闪存，HBF）以及定制化HBM。报道未披露具体量产时间或性能参数。
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最新进展10月16日 06:38
SK海力士在SEDEX 2026公布含3D堆叠DRAM、HBF及定制HBM的路线图。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月16日
- Hacker News：AI 热帖SK hynix 在 SEDEX 2026 公布下一代内存路线图，用 3D Stacked DRAM 和 HBF 缓解 AI 瓶颈
SK hynix 在 SEDEX 2026 公布面向 AI 基础设施的下一代内存路线图，计划继续推进 HBM1 到 HBM4E，并开发 3D Stacked DRAM、High Bandwidth Flash 和定制 HBM。
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