SK 海力士推出 3D FeNAND 技术，瞄准 AI 计算

SK 海力士公布 3D FeNAND 实现模拟存内计算（A-CiM）的研究成果，相关论文已发表于 IEEE。A-CiM 可利用模拟信号直接在存储器内执行乘积累加运算（MAC），减少数据搬运并提升速度与能效。FeNAND 利用铁电材料极化状态存储数据，单存储单元可产生多种电流状态，适合承载 AI 计算所需的权重数据。